| 摘要 |
본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 제1아르곤 가스유량을 갖는 아르곤 가스와 염소 가스를 포함하고, 제1RF전력을 인가하여 생성되는 제1플라즈마로 실리콘 기판을 처리하는 단계와; 상기 제1아르곤 가스유량보다 큰 제2아르곤 가스유량을 갖는 상기 아르곤 가스와 상기 염소 가스를 포함하고, 상기 제1RF전력보다 작은 제2RF전력을 인가하여 생성되는 제2플라즈마로 상기 실리콘 기판을 처리하는 단계와; 상기 기판 상부에 제1실리콘 게르마늄 층 및 제2실리콘 게르마늄 층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제2실리콘 게르마늄 층 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극을 도핑 마스크로 이용하여 상기 제2실리콘 게르마늄 층을 불순물로 도핑하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. |
