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<p>이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor ; HBT) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 컬렉터 영역, 베이스 영역, 그리고 에미터 영역이 순차적으로 형성되고, 각 영역에는 단자들이 형성되어 있는데, 이 때 컬렉터 영역은 제 1, 제 2 서브 컬렉터 층과 제 1, 제 2, 제 3 컬렉터 층이 순차적으로 적층되어 형성되고, 제 2 서브 컬렉터 층과 제 1, 제 2 컬렉터 층의 폭은 상기 제 1 서브 컬렉터 층과 제 3 컬렉터 층의 폭보다 더 좁게 형성되어 있다. 이와 같이 제작되는 이종접합 바이폴라 트랜지스터는 베이스-컬렉터간의 정전용량을 감소시켜 주파수 특성을 크게 개선시킬 수 있다.</p> |
