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LE PROCEDE COMPREND DEUX PHASES DISTINCTES POUR LA FORMATION DE LA REGION DE TYPE P (P-WELL), DESTINEE A RECEVOIR LE TRANSISTOR A CANAL N DE LA PAIRE DE CMOS ET CELLE DE L'ANNEAU DE GARDE DE TYPE P QUI ENTOURE LE MEME TRANSISTOR. L'EMPLOI D'UNE MATIERE RESISTANTE AUX HAUTES TEMPERATURES, COMME LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, PERMET D'UTILISER UN SEUL MASQUE 12A, B POUR LE DOPAGE ET LA DIFFUSION DU P-WELL ET DE L'ANNEAU P. MEME AVEC LE MAXIMUM DE DENSITE D'INTEGRATION, ON OBTIENT DES TRANSISTORS DONT LES TENSIONS DE SEUIL SONT INDEPENDANTES DE LA LARGEUR DE LEURS CANAUX DE CONDUCTION.
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