发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
一种半导体装置,进一步确保输入电路中的参照电压的噪声容限。上述半导体装置包括:焊盘(14),输入参照电压(Vref);输入电路(13);电阻元件(R1),连接在输入电路(13)的输入端与焊盘(14)之间;电容元件(C1),连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的电源VDD之间;以及电容元件(C2),连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的接地VSS之间。上述半导体装置,根据参照电压(Vref)的供电网的阻抗特性,确定电阻元件(R1)的电阻值。 |
申请公布号 |
CN101026158A |
申请公布日期 |
2007.08.29 |
申请号 |
CN200710084103.0 |
申请日期 |
2007.02.16 |
申请人 |
尔必达存储器株式会社 |
发明人 |
西尾洋二;植松裕;大坂英树;原敦;船场诚司 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/528(2006.01);G11C11/4074(2006.01);G11C11/4099(2006.01);G11C7/14(2006.01);G11C5/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
钟强;关兆辉 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:输入端子,输入参照电压;输入电路;第1电阻元件,连接在上述输入电路的输入端与上述输入端子之间;第1电容元件,连接在上述输入端与半导体装置内的电源配线之间;以及第2电容元件,连接在上述输入端与上述半导体装置内的接地配线之间。 |
地址 |
日本东京 |