发明名称 半导体装置
摘要 一种半导体装置,进一步确保输入电路中的参照电压的噪声容限。上述半导体装置包括:焊盘(14),输入参照电压(Vref);输入电路(13);电阻元件(R1),连接在输入电路(13)的输入端与焊盘(14)之间;电容元件(C1),连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的电源VDD之间;以及电容元件(C2),连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的接地VSS之间。上述半导体装置,根据参照电压(Vref)的供电网的阻抗特性,确定电阻元件(R1)的电阻值。
申请公布号 CN101026158A 申请公布日期 2007.08.29
申请号 CN200710084103.0 申请日期 2007.02.16
申请人 尔必达存储器株式会社 发明人 西尾洋二;植松裕;大坂英树;原敦;船场诚司
分类号 H01L27/02(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/528(2006.01);G11C11/4074(2006.01);G11C11/4099(2006.01);G11C7/14(2006.01);G11C5/14(2006.01) 主分类号 H01L27/02(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 钟强;关兆辉
主权项 1.一种半导体装置,其特征在于,包括:输入端子,输入参照电压;输入电路;第1电阻元件,连接在上述输入电路的输入端与上述输入端子之间;第1电容元件,连接在上述输入端与半导体装置内的电源配线之间;以及第2电容元件,连接在上述输入端与上述半导体装置内的接地配线之间。
地址 日本东京