发明名称 可防止开裂的半导体结构
摘要 本实用新型提供一种可防止开裂的半导体结构,包括:焊垫、第一金属层、第二金属层、第一金属插塞及第二金属插塞;第一金属层位于焊垫的下方;第一金属层与焊垫通过第一金属插塞相连接;第二金属层位于焊垫的下方,且位于第一金属层的一侧;第二金属层位于焊垫正下方的区域内设有若干个通孔;第二金属插塞位于焊垫与第二金属层之间,一端与焊垫相连接,另一端垂直插入通孔内。本实用新型通过在第二金属层内形成通孔,并在对应于通孔的位置形成第二金属插塞,可以增强半导体结构中相应位置的强度,使得打线时整个半导体结构受力均衡,彻底解决了半导体结构中出现裂痕的问题;该半导体结构的结构简单,制备时不需要额外的工艺步骤。
申请公布号 CN205376491U 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201620111960.X 申请日期 2016.02.03
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王敏;何明
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种可防止开裂的半导体结构,其特征在于,所述可防止开裂的半导体结构包括:焊垫、第一金属层、第二金属层、第一金属插塞及第二金属插塞;所述第一金属层位于所述焊垫的下方,且与所述焊垫相隔一定的间距;所述第一金属层与所述焊垫通过所述第一金属插塞相连接;所述第二金属层位于所述焊垫的下方,且位于所述第一金属层的一侧,并与所述焊垫及所述第一金属层均相隔一定的间距;所述第二金属层位于所述焊垫正下方的区域内设有若干个通孔,所述通孔的横向尺寸大于所述第二金属插塞的横向尺寸;所述第二金属插塞位于所述焊垫与所述第二金属层之间,一端与所述焊垫相连接,另一端垂直插入所述通孔内。
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