发明名称 |
可防止开裂的半导体结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种可防止开裂的半导体结构,包括:焊垫、第一金属层、第二金属层、第一金属插塞及第二金属插塞;第一金属层位于焊垫的下方;第一金属层与焊垫通过第一金属插塞相连接;第二金属层位于焊垫的下方,且位于第一金属层的一侧;第二金属层位于焊垫正下方的区域内设有若干个通孔;第二金属插塞位于焊垫与第二金属层之间,一端与焊垫相连接,另一端垂直插入通孔内。本实用新型通过在第二金属层内形成通孔,并在对应于通孔的位置形成第二金属插塞,可以增强半导体结构中相应位置的强度,使得打线时整个半导体结构受力均衡,彻底解决了半导体结构中出现裂痕的问题;该半导体结构的结构简单,制备时不需要额外的工艺步骤。 |
申请公布号 |
CN205376491U |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201620111960.X |
申请日期 |
2016.02.03 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王敏;何明 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种可防止开裂的半导体结构,其特征在于,所述可防止开裂的半导体结构包括:焊垫、第一金属层、第二金属层、第一金属插塞及第二金属插塞;所述第一金属层位于所述焊垫的下方,且与所述焊垫相隔一定的间距;所述第一金属层与所述焊垫通过所述第一金属插塞相连接;所述第二金属层位于所述焊垫的下方,且位于所述第一金属层的一侧,并与所述焊垫及所述第一金属层均相隔一定的间距;所述第二金属层位于所述焊垫正下方的区域内设有若干个通孔,所述通孔的横向尺寸大于所述第二金属插塞的横向尺寸;所述第二金属插塞位于所述焊垫与所述第二金属层之间,一端与所述焊垫相连接,另一端垂直插入所述通孔内。 |
地址 |
100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |