一种掩膜版及套刻精度的测量方法

摘要

本发明提供一种掩膜版及套刻精度的测量方法，掩膜版外围区具有多个第一标记A和第二标记B，如此在整个晶圆曝光完成后，每个曝光单元的外围区会相交，从而一个曝光单元的第一标记A和第二标记B会分别于相邻曝光单元的第二标记B和第一标记A进行嵌套，在此基础上测量相嵌套的第一标记A和第二标记B的关系，可以确定第一层的曝光单元间的套刻精度，从而较好的把握产品的初始状况，并且将所测得的第一层的曝光单元间的套刻精度上传先进过程控制系统，能够把握后续各层的曝光单元间的套刻精度和该系列产品的整体状况，非常符合实际生产需要。

主权项

一种套刻精度的测量方法，其特征在于，包括：利用一掩膜版对晶圆进行第一层曝光，形成多个曝光单元；所述掩膜版包括图案区及外围区，所述外围区具有用于对准的多个第一标记A及多个第二标记B，第一标记A与第二标记B具有不同的尺寸；其中，相邻两个曝光单元具有如下状态：一个曝光单元的第一标记A与另一个曝光单元的第二标记B嵌套；测量嵌套的第一标记A和第二标记B之间的关系，以获取第一层的曝光单元间的套刻精度；将所述第一层的曝光单元间的套刻精度上传至先进过程控制系统；对经过第一层曝光工艺的晶圆进行第二层曝光工艺；测量第二层曝光工艺与第一层曝光工艺的层间套刻精度。