发明名称 |
热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法 |
摘要 |
本发明提供一种热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法,包括如下步骤:通过特定波长的激光束,入射到被测的所述热障涂层的表面,激发出所述热障涂层中热生长氧化物层内微量元素Cr<sup>3+</sup>的荧光光谱;将所激发出的Cr<sup>3+</sup>的荧光光谱特征峰与无应力状态下所激发出的Cr<sup>3+</sup>的荧光光谱特征峰相比较,根据特征峰的偏移量计算热生长氧化物层内应力的分布。本发明能解决传统应力检测方法难以实现TGO层应力测量的技术难题;无需破坏试样本身即可检测涂层试样经各种不同的工况(如热震、恒温氧化、热循环或高温焰流热冲击等)考核前后TGO层内应力的变化,为涂层的服役行为及失效机理研究提供实验基础;为实际工件服役前后涂层中TGO内应力的无损检测提供可行性。 |
申请公布号 |
CN106066319A |
申请公布日期 |
2016.11.02 |
申请号 |
CN201610570420.2 |
申请日期 |
2016.07.19 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
陶顺衍;杨加胜;赵华玉;邵芳;钟兴华;王亮 |
分类号 |
G01N21/64(2006.01)I;G01L5/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲;姚佳雯 |
主权项 |
一种热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法,其特征在于,包括如下步骤:通过特定波长的激光束,入射到被测的所述热障涂层的表面,激发出所述热障涂层中热生长氧化物层内微量元素Cr<sup>3+</sup>的荧光光谱;将所激发出的Cr<sup>3+</sup>的荧光光谱特征峰与无应力状态下所激发出的Cr<sup>3+</sup>的荧光光谱特征峰相比较,根据特征峰的偏移量计算热生长氧化物层内应力的分布。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |