半导体雷射及其制造方法

摘要

一种半导体雷射包括一基底，一在此基底形成之双异结构部份，此双异结构包括一在基底上形成之第一覆盖层，一在第一覆盖层上形成之主动层以及一在主动层上形成之第二覆盖层，此第二覆盖层在其上表面具有一条纹型凸出物，该凸出物具有其侧墙实质上垂直形成在基底上之上方部分，一在线宽上大于上方部分之线宽之步阶形状之下方部分以及一电流阻隔层，其自凸出物之侧表面延伸形成至除了凸出物之上部分外之第二覆盖层之上表面。