发明名称 Chipträgerlaminat mit Hochfrequenzdielektrikum und thermomechanischem Dämpfer
摘要 Ein Chipträger (100) zum Tragen eines gekapselten elektronischen Chips (102), wobei der Chipträger (100) eine Laminatstruktur, die als ein Stapel einer Mehrzahl von elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen (106) ausgebildet ist, und einen Chipkopplungsbereich (108) auf einer freiliegenden Oberfläche der Laminatstruktur umfasst, der zum elektrischen und mechanischen Koppeln des gekapselten elektronischen Chips (102) konfiguriert ist, wobei eine der elektrisch isolierenden Strukturen (104) als ein Hochfrequenzdielektrikum (110) konfiguriert ist, das aus einem Material hergestellt ist, das mit einer verlustarmen Übertragung eines Hochfrequenzsignals kompatibel ist, wobei mindestens eines von einer weiteren der elektrisch isolierenden Strukturen (104) und einer der elektrisch leitfähigen Strukturen (106) als ein thermomechanischer Dämpfer (112) zum Dämpfen von thermisch eingebrachter mechanischer Belastung konfiguriert ist.
申请公布号 DE102015100771(A1) 申请公布日期 2016.07.21
申请号 DE201510100771 申请日期 2015.01.20
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Niessner, Martin Richard;Pahlke, Sebastian;Haubner, Gerhard;Hartner, Walter
分类号 H01L23/14;H01L21/58;H01L23/64;H05K1/02 主分类号 H01L23/14
代理机构 代理人
主权项
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