动态随机存储器单元及其制造方法

摘要

本发明涉及一种动态随机存储器(DRAM)单元与该动态存储器单元的一种制造方法。该动态随机存储器单元至少包含晶体管单元与电容器单元。该电容器单元至少包含第一、第二以及第三介电层，与第一、第二以及第三电容电极板。该第一介电层在第一电容电极板上。该第二电容电极板在该第一介电层的上方。该第二介电层在该第二电容电极板上。该第三电容电极板在该第二介电层上且与漏极电性相连。该第三介电层在该第三电容电极板和栅极之间，用来绝缘该第三电容电极板和该栅极。

主权项

1、一种动态随机存储器单元，至少包含：晶体管单元，位于衬底上，该晶体管单元至少包含源极、漏极和栅极结构；以及电容器单元，该电容器单元至少包含：第一电容电极板，位于该衬底上且与该漏极电性相连；第一介电层，位于该第一电容电极板上；第二电容电极板，位于该第一介电层上；第二介电层，位于该第二电容电极板上；第三电容电极板，位于该第二介电层上，其中该第三电容电极板与该漏极电性相连且通过该第二介电层与该第二电容电极板绝缘；以及第三介电层，位于该第三电容电极板和该栅极之间，其中该第三介电层用来绝缘该第三电容电极板和该栅极。