发明名称 apparatus for processing substrates
摘要 좌우 대칭으로 마주보도록 이루어진 라인상 혹은 트랙상의 캐소드 전극, 캐소드 전극 사이에 서로 마주보도록 이루어진 타겟(target), 캐소드 전극 주변에 설치되어 플라즈마 밀집 영역을 제한하도록 이루어진 자계 소오스(magnetic field source), 타겟 부분은 개방한 상태로 캐소드 전극(cathode electrode)과 자계 소오스를 둘러싸도록 이루어진 접지 전극, 타겟과 접지 전극 사이에서 위쪽(기판쪽)으로 소오스 가스를 공급하는 소오스 가스 공급장치, 캐소드 전극 및 접지 전극 위쪽에 이격되어 설치되는 가속전극을 구비하고, 캐소드 전극과 가속 전극에는 서로 다른 극성의 직류 전압이 인가되고, 시간에 따라 극성이 서로 바뀔(가변될) 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리장치가 개시된다. 본 발명에 따르면, 캐소드 전극의 전위가 실질적으로 타겟 표면을 통해 작용하므로 캐소드에 부의 전압이 인가되면 이온이 캐소드로 가속되어 충돌하면서 캐소드에 적층된 증착물질을 제거하는 세정작용을 할 수 있으므로 전극을 교번하면 장기적으로 사용하여도 캐소드의 주변에 증착물질이 덮여서 전극으로서의 기능이 훼손되는 것을 예방할 수 있고, 가속 전극에 의해 양이온이 기판으로 당겨지는 힘을 조절할 수 있으므로 증착물질이 기판에 집중되어 기판에 증착되는 박막의 막질을 조절, 개선할 수 있고, 증착 효율을 높이도록 조절할 수 있다.
申请公布号 KR101683726(B1) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20140160046 申请日期 2014.11.17
申请人 이찬용 发明人 이상용
分类号 H01L21/205;H01L51/56 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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