| 发明名称 | 注入氢负离子的方法及注入设备 | ||
| 摘要 | 注入氢负离子的方法包括以下步骤。产生含氢等离子体。在等离子体中产生氢负离子。在等离子体和衬底间形成电场。利用该电场加速来自等离子体的氢负离子,从而将氢负离子注入到衬底的预定深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1242594A | 申请公布日期 | 2000.01.26 |
| 申请号 | CN99110936.8 | 申请日期 | 1999.06.26 |
| 申请人 | 日新电机株式会社 | 发明人 | 三宅浩二;林司;桑原创 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/265;C30B31/22;H01J37/317;H05H1/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种注入氢负离子的方法，包括以下步骤：产生含氢等离子体；在等离子体中产生氢负离子；在等离子体和衬底间形成电场；及利用该电场加速来自等离子体的氢负离子，以便将氢负离子注入到衬底的预定深度。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||