非挥发性记忆单元以及相关写入方法

摘要

一种记忆单元，其包含一N型井、三P型掺杂区、一第一堆叠介电层、一第一闸极、一第二堆叠介电层以及一第二闸极。其中，该三P型掺杂区形成于该N型井上，该第一堆叠介电层形成于该N型井上以及该三P型掺杂区中之第一与第二掺杂区之间，该第一闸极形成于该第一堆叠介电层上，该第二堆叠介电层形成于该N型井上以及该三P型掺杂区中之第二与第三掺杂区之间，该第二闸极形成于该第二堆叠介电层上。