Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Schottky-übergang,申请号DE19916030041-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Schottky-übergang
摘要
申请公布号	DE69130041(D1)	申请公布日期	1998.10.01
申请号	DE19916030041	申请日期	1991.06.28
申请人	CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	NAKAMURA, YOSHIO, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO, JP;KIKUCHI, SHIN, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO, JP;NISHIMURA, SHIGERU, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO, JP
分类号	H01L21/285;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/872;H01L29/73;H01L29/40	主分类号	H01L21/285
代理机构		代理人
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