具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法

摘要

本发明涉及一种具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储单元的制造方法。高密度等离子体沉积在图案化后的层的堆叠上产生硬式掩模，其大致位于中心处且在此图案化后的层的堆叠的覆盖层上。此高密度等离子体沉积利用较小临界尺寸进行以在此图案化后的层堆叠的覆盖层上产生较小的三角形且位于靠近次覆盖层的中心处。此硬式掩模可以防止硬式掩模基底之下的区域被蚀刻，而此硬式掩模提供自对准技术以蚀刻此图案化后的层堆叠的左右两侧区段，因为此硬式掩模位于中心处且在此图案化后的层堆叠的覆盖层上。

主权项

1、一种制造存储元件的方法，包括：将覆盖于存储基板的上表面的多个层图案化，所述多个层包含覆盖于下电极的可编程电阻存储薄膜，而所述下电极具有上表面；利用包含第一电介质材料的高密度等离子体沉积工艺，在所述多个层的上表面上形成具有特定临界尺寸几何结构的硬式掩模；蚀刻所述多个层，超过所述硬式掩模的几何结构直到抵达所述下电极的所述上表面，因此形成邻近且环绕于所述可编程电阻存储薄膜的第一空洞；以及通过沉积第二电介质材料于所述硬式掩模上，且部分进入所述第一空洞的一部分，以形成气隙，而所述气隙自对准且环绕于所述可编程电阻存储薄膜，而所述气隙降低由所述可编程电阻存储薄膜产生的热耗散现象。