发明名称 MANUFACTURING METHOD OF INSULATING GATE TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH0750420(A) 申请公布日期 1995.02.21
申请号 JP19940083803 申请日期 1994.03.31
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD 发明人 YAMAZAKI SHUNPEI
分类号 H01L21/318;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L21/318
代理机构 代理人
主权项
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