具有低接触电阻的半导体元件及其制造方法

摘要

本发明系关于一种具有低接触电阻之半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：一基板构造，设有接触孔用以显露一预设的部分；及一形成于该接触孔上之接触插塞，其中接触插塞设有填充于接触孔一部分中之外延矽层，及填充于接触孔另一部分中并形成于外延矽层上的金属层。用以制造该半导体装置之方法所包括之步骤为：显露一基板构造之一部分，因而形成一接触孔；及在接触孔上依序形成一外延矽层及一金属层，因之而获得接触插塞。