用于高频半导体装置之封装之通孔结构

摘要

本发明揭示一种用于高频半导体装置之一封装之基板(300)，其包括一平面绝缘基板，其具有复数个平行、平面金属层(301a、301b等)嵌入该绝缘体中。该基板进一步具有穿过该基板之至少一对平行、金属填充通孔(302及303)；该等通孔具有一直径及至少此直径之彼此间的一距离。各通孔中的金属在该等金属层之各个所选平面上具有一薄片状延伸部分(321a、321b等)，从而导致一增加的通孔至通孔容量，因此一高频信号之反射率系小于10％。