| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体装置。ESD保护器件(1)具备Si基板(10)和再布线层(20)。再布线层(20)的Ti/Cu/Ti电极(23A、23B)经由接触孔(22A、22B)与形成在Si基板(10)的表面的具有Al电极膜(111～113、121、131)的ESD保护电路导通。Al电极膜(121)与Ti/Cu/Ti电极(23A)导通，Al电极膜(131)与Ti/Cu/Ti电极(23B)导通。在Al电极膜(111、121)间形成二极管形成区域(141)，在Al电极膜(112、131)间形成二极管形成区域(144)。Ti/Cu/Ti电极(24A)不与二极管形成区域(144)重叠，Ti/Cu/Ti电极(24B)不与二极管形成区域(141)重叠。由此，提供一种能够减少寄生电容的产生，并能够应用到更高频带的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN205508776U | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201490000444.9 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 中矶俊幸;加藤登 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 舒艳君;李洋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：形成在半导体基板内的第一二极管以及第二二极管；分别形成在所述半导体基板的表面的第一输入输出电极、第二输入输出电极以及中间电极，所述第一输入输出电极与所述第一二极管的一端连接，所述第二输入输出电极与所述第二二极管的一端连接，所述中间电极与所述第一二极管的另一端以及所述第二二极管的另一端连接；以及分别形成于设置在所述半导体基板的表面的再布线层并经由第一接触孔与所述第一输入输出电极连接的第一布线电极、以及经由第二接触孔与所述第二输入输出电极连接的第二布线电极，所述第一布线电极在俯视时被布线在与所述第一输入输出电极以及所述中间电极重叠而不与所述第二二极管的形成区域重叠的区域，所述第二布线电极在俯视时被布线在与所述第二输入输出电极以及所述中间电极重叠而不与所述第一二极管的形成区域重叠的区域。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||