发明名称 针对多重电源供应端的瞬时电压检测电路
摘要 本发明提供一种针对多重电源供应端的瞬时电压检测电路,该电路针对一电子系统做检测。该电子系统具有一第一电源供应端、一第二电源供应端、一第三电源供应端、一第四电源供应端、一第五电源供应端以及一第六电源供应端。该电路包括含有多个MOS晶体管的第一装置和第二装置及一复位装置。该电子系统正常运作时,该第一电源供应端的电压大致上等于该第二电源供应端的电压,该第三电源供应端的电压大致上等于该第四电源供应端的电压,并且该第五电源供应端的电压大致上等于该第六电源供应端的电压。根据本发明的瞬时电压检测电路,可以检测到一旦发生于该第一电源供应端、该第二电源供应端、该第三电源供应端以及该第四电源供应端处的正的或负的瞬时电压。
申请公布号 CN100354634C 申请公布日期 2007.12.12
申请号 CN200410074885.6 申请日期 2004.08.30
申请人 联咏科技股份有限公司 发明人 周国煜
分类号 G01R19/00(2006.01);H02H9/04(2006.01) 主分类号 G01R19/00(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 臧建明;王玉双
主权项 1.一种瞬时电压检测电路,该电路针对一电子系统做检测,该电子系统具有一第一电源供应端、一第二电源供应端、一第三电源供应端、一第四电源供应端、一第五电源供应端以及一第六电源供应端,该电路包含:一第一装置,该第一装置包含一第一第一型态金属氧化物半导体晶体管以及一第一第二型态金属氧化物半导体晶体管,该第一第一型态金属氧化物半导体晶体管耦合至该第一电源供应端,该第一第二型态金属氧化物半导体晶体管耦合于该第一第一型态金属氧化物半导体晶体管与该第五电源供应端之间并且以本身的一栅极耦合至该第三电源供应端,该第一装置并且在该第一第一型态金属氧化物半导体晶体管与该第一第二型态金属氧化物半导体晶体管之间提供一第一输出端;一第二装置,该第二装置包含一第二第一型态金属氧化物半导体晶体管、一第三第一型态金属氧化物半导体晶体管以及一第二第二型态金属氧化物半导体晶体管,该第二第一型态金属氧化物半导体晶体管耦合至该第二电源供应端并且以本身的一栅极耦合至该第一输出端,该第三第一型态金属氧化物半导体晶体管与该第二第一型态金属氧化物半导体晶体管并联,该第二第二型态金属氧化物半导体晶体管耦合于该第二第一型态金属氧化物半导体晶体管与该第六电源供应端之间并且以本身的一栅极耦合至该第四电源供应端,该第一第一型态金属氧化物半导体晶体管以本身的一栅极耦合至一第一节点,该第一节点置于该第二第一型态金属氧化物半导体晶体管与该第二第二型态金属氧化物半导体晶体管之间;以及一复位装置,该复位装置具有一耦合至该第三第一型态金属氧化物半导体晶体管的一栅极的输出,该复位装置用以输出一复位信号,进而导通该第三第一型态金属氧化物半导体晶体管,致使在该第一节点处的电压为一第一逻辑状态,并且在该第一输出端处的电压锁定于一第二逻辑状态;其中,一旦一负的瞬时电压发生于该第三电源供应端处,在该第一节点处的电压将转态为该第二逻辑状态,致使在该第一输出端处的电压将转态为该第一逻辑状态;其中,一旦一正的瞬时电压发生于该第四电源供应端处,在该第一节点处的电压将转态为该第二逻辑状态,致使在该第一输出端处的电压将转态为该第一逻辑状态;其中,一旦该正的瞬时电压发生于该第一电源供应端处,该第一第一型态金属氧化物半导体晶体管将被导通,致使该第一输出端将转态为该第一逻辑状态;并且其中,一旦该负的瞬时电压发生于该第二电源供应端处,该第一第一型态金属氧化物半导体晶体管将被导通,致使该第一输出端将转态为该第一逻辑状态。
地址 台湾省新竹