| 发明名称 | 将忆阻器装置用于MRI RF 线圈 | ||
| 摘要 | 一种用于磁共振系统(10)中的射频(RF)线圈组件(18、18′)包括：射频线圈(42)和多个记忆电阻元件(46、56、62、72)，每个记忆电阻元件都在去除控制信号之后保持在选定的电阻状态。失谐电路(44)作为射频线圈组件的一部分，包括在调谐和失谐状态之间切换射频线圈的记忆电阻元件(46)。连接在射频线圈和前置放大器(52)之间的消隐电路(54)包括记忆电阻元件(56)以使前置放大器的输入端短路。多路复用电路(60)包括多个记忆电阻元件(62)，以有选择地将所述射频线圈的选定输出耦合到接收器(26)。偏置电路(27)生成控制信号以在磁共振系统的发射模式期间将记忆电阻元件(46、56)设置成第一电阻状态，以及在接收模式期间设置成第二电阻状态。 | ||
| 申请公布号 | CN102803981B | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201080032392.X | 申请日期 | 2010.05.17 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | A·赖高斯基 |
| 分类号 | G01R33/3415(2006.01)I;G01R33/36(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/3415(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;刘炳胜 |
| 主权项 | 一种用于在磁共振中使用的射频线圈组件(18、18')，包括：射频线圈(42)；以及多个记忆电阻开关(46、56、62、72)，其每个都在去除控制信号之后保持选定的电阻状态。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||