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Eine integrierte Schaltung umfasst ein RAM-Feld (1400), welches eine Mehrzahl von Spalten mit RAM-Zellen und eine erste Mehrzahl von Bitleitungen aufweist, welche elektrisch mit der Mehrzahl von Spalten mit RAM-Zellen verbunden sind, ein nichtflüchtiges Speicherfeld (1300), welches eine Mehrzahl von Spalten mit nichtflüchtigen Speicherzellen und eine zweite Mehrzahl von Bitleitungen aufweist, welche elektrisch mit der Mehrzahl von Spalten mit nichtflüchtigen Speicherzellen verbunden sind, und einen Datenübertragungsschaltkreis (1500), welcher elektrisch mit der ersten und der zweiten Mehrzahl von Bitleitungen verbunden ist, wobei der Datenübertragungsschaltkreis (1500) dazu konfiguriert ist, eine direkte bidirektionale Kommunikation zwischen der ersten und der zweiten Mehrzahl von Bitleitungen zu unterstützen, wenn Daten des nichtflüchtigen Speicherfelds direkt von der zweiten Mehrzahl von Bitleitungen zur ersten Mehrzahl von Bitleitungen zu übertragen sind und RAM-Daten direkt von der ersten Mehrzahl von Bitleitungen zur zweiten Mehrzahl von Bitleitungen zu übertragen sind.
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