| 发明名称 | 基准电压产生电路及使用其的供电设备 | ||
| 摘要 | 公开一种用于产生基准电压的基准电压产生电路，包括串联或并联连接的多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET中的至少一个包含控制栅极、以及被做成空穴富集或利用紫外线辐射放电的浮置栅极，而且所述基准电压产生电路被配置为输出一对MOSFET的阈值电压之间的差作为所述基准电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101331437A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200780000696.6 | 申请日期 | 2007.03.20 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 吉田雅昭;中西启哲 |
| 分类号 | G05F3/24(2006.01);G05F1/56(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8236(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/088(2006.01) | 主分类号 | G05F3/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 1.一种用于产生基准电压的基准电压产生电路，包括：串联或并联连接的多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；其中所述多个MOSFET中的至少一个包含控制栅极、以及被做成空穴富集或利用紫外线辐射放电的浮置栅极；而且所述基准电压产生电路被配置为输出一对MOSFET的阈值电压之间的差作为所述基准电压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||