铜电镀方法

摘要

在填充在半导体晶片上形成的配线(LSI)图案的微细通路或沟道时，用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀液进行电镀，或者用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀用前处理液浸渍之后进行电镀。这样，通过向电镀液中添加铜溶解抑制成分，或者用含铜溶解抑制成分的溶液进行前处理，可以抑制覆盖度差的铜籽晶层的溶解，防止空隙、裂缝等缺陷的发生。

主权项

1.用于在半导体晶片上形成铜配线的铜电镀方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶联剂、并含有硫酸铜、硫酸、氯和添加剂作为主要成分的硫酸铜电镀液中浸渍1-60秒，并且用铜填充半导体晶片上形成的配线图案的微细通路或沟道。