发明名称 | 磁传感器子层中的变化形态 | ||
摘要 | 多个实施例一般地涉及使用具有预定第一形态的去耦层来构建的磁传感器。磁性自由层可被沉积为接触地邻近于去耦层,磁性自由层被配置为具有预定第二形态的至少第一子层。 | ||
申请公布号 | CN103065644B | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
申请号 | CN201210478643.8 | 申请日期 | 2012.09.21 |
申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | M·W·科温顿;M·T·凯夫;丁元俊 |
分类号 | G11B5/265(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/265(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
主权项 | 一种磁性检测设备,包括:具有去耦形态的去耦层,所述去耦形态是由第一和第二去耦子层提供,每一个去耦子层分别具有不同的厚度、形态强度和形态方向;和接触地邻近去耦层且具有与去耦形态不同的自由形态的磁性自由层,该磁性自由层被配置为具有第一和第二磁性自由子层,每一个自由子层分别具有不同的厚度、形态强度和形态方向。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |