| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 半导体装置包括存储晶体管(10A)，该存储晶体管(10A)是能够从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变化到漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，存储晶体管(10A)具有栅极电极(3)、金属氧化物层(7)、栅极绝缘膜(5)、源极和漏极电极，漏极电极(9d)具有包含由熔点为1200℃以上的第一金属形成的第一漏极金属层(9d1)和由熔点低于第一金属的第二金属形成的第二漏极金属层(9d2)的层叠结构，在从衬底的表面的法线方向观察时，漏极电极9d的一部分P与金属氧化物层(7)和栅极电极(3)这两者都重叠，漏极电极(9d)的一部分(P)包含第一漏极金属层(9d1)且不包含第二漏极金属层(9d2)。 | ||
| 申请公布号 | CN105765720A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201480063009.5 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 加藤纯男;上田直树 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;杨艺 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括衬底和被支承在所述衬底上的至少一个存储晶体管，该半导体装置的特征在于：所述至少一个存储晶体管是能够从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变化到漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的存储晶体管，所述至少一个存储晶体管具有栅极电极、金属氧化物层、配置在所述栅极电极与所述金属氧化物层之间的栅极绝缘膜和与所述金属氧化物层电连接的源极电极和漏极电极，所述漏极电极具有包含第一漏极金属层和第二漏极金属层的层叠结构，所述第一漏极金属层由熔点为1200℃以上的第一金属形成，所述第二漏极金属层由熔点低于所述第一金属的第二金属形成，在从所述衬底的表面的法线方向观察时，所述漏极电极的一部分与所述金属氧化物层和所述栅极电极这两者都重叠，所述漏极电极的所述一部分包含所述第一漏极金属层且不包含所述第二漏极金属层。 | ||
| 地址 | 日本，大阪府 | ||