氮化镓系化合物半导体发光元件

摘要

本发明之目的在提供光射出效率高之备有反射型正极之氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明之氮化镓系化合物半导体发光元件系于基板上具有n型半导体层、发光层及p型半导体层构成之氮化镓系化合物半导体之积层构造体之发光元件，其特征为设于p型半导体层上之正极系由透明材料层及设在该透明材料层上之反射性金属层构成之反射型正极。