发明名称 动态偏置LDO电路
摘要 本发明提供了一种动态偏置LDO电路,采用电容耦合采样输出电压瞬态变化,通过与固定偏置电压进行比较,产生两个动态偏置信号,动态偏置信号根据输出电压的变化情况来打开或关闭对功率管栅端寄生电容的充放电环路,进而调节功率管栅端电压,稳定输出电压,因此本电路具有良好的瞬态响应能力。
申请公布号 CN106249794A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610795173.6 申请日期 2016.08.31
申请人 湖南文理学院 发明人 丁一
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人 李向英
主权项 一种动态偏置LDO电路,其特征在于,包括固定偏置电路、动态偏置电路、功率管栅端控制电路,其中:固定偏置电路包括:参考电压(Vref),放大器(OP1),晶体管(M1)~(M4),电阻(Rs),用于产生固定偏置电压(Vb1)和(Vb2);动态偏置电路包括:电阻(R1)、(R2),电容(C1)、(C2),放大器(OP2)、(OP3),用于产生动态偏置和固定偏置的叠加信号(Vb3)和(Vb4);(Vb3)控制晶体管(M6)、(M7)的栅压,(Vb4)控制晶体管(M5)和(M8)的栅压;功率管栅端控制电路包括:晶体管(M5)~(M8),功率管(Mp),功率管栅端和漏端寄生电容(C_int)和(C_out);其连接关系为:参考电压(Vref)连接放大器(OP1)的正输入端,(OP1)负输入端与输出相连构成单位增益输出,(OP1)输出与晶体管(M2)的栅端相连,(M2)的源端连接电阻(Rs),电阻(Rs)另一端连接地,晶体管(M2)的漏端与晶体管(M1)的漏端和栅端相连,构成固定偏置电压(Vb1),晶体管(M1)的源端与电源(VDD)相连,晶体管(M3)栅端为(Vb1),(M3)源端连接(VDD),(M3)漏端与晶体管(M4)的漏端和源端相连,构成固定偏置电压(Vb2),(Vb1)连接放大器(OP2)的正输入端和电阻(R1),(R1)的另一端连接(OP2)的负输入端和电容(C1),(C1)的另一端连接输出电压(Vout),(OP2)的输出端为(Vb4)连接晶体管(M5)和(M8)的栅端,固定偏置电压(Vb2)连接放大器(OP3)的正输入端和电阻(R2),电阻(R2)的另一端连接(OP3)的负输入端和电容(C2),电容(C2)的另一端连接(Vout),(OP3)的输出电压为(Vb3)连接晶体管(M6)和(M7)的栅端,晶体管(M5)的源端接(VDD),(M5)漏端连接功率管(Mp)的栅端和晶体管(M6)的漏端,晶体管(M6)的源端连接晶体管(M7)的漏端和晶体管(M8)的漏端,晶体管(M7)的源端接地,晶体管(M8)的源端连接(Vout),功率管(Mp)的源端接(VDD),(Mp)的漏端为(Vout);电容(C_int)和(C_out)分别是功率管(Mp)栅端和漏端处寄生的电容。
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