| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 在具有用与半导体衬底(4)和层间绝缘膜(7)中的至少某一方的热膨胀系数不同的材料形成的屏蔽膜(1)的半导体集成电路(100)中，屏蔽膜(1)具有屏蔽部(9)和开口部(12)，此外，被屏蔽部(9)包围了其周围的独立开口部(12a)和被开口部(12)包围了其周围的独立屏蔽部(11)中的至少某一方存在多个，分散配置在芯片的整个表面上。或者，在通过屏蔽屏蔽部(9)内的电路元件(21)和电路布线(16)的部分的与上述半导体衬底(4)的表面(4a)平行的任意的直线上开口部(12)存在多个。 | ||
| 申请公布号 | CN1585113A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN200410057877.0 | 申请日期 | 2004.08.20 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 逸见卓也 |
| 分类号 | H01L23/00;H01L23/552;H01L23/58;H01L27/00 | 主分类号 | H01L23/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，其特征在于：具有用与半导体衬底和层间绝缘膜中的至少某一方的热膨胀系数不同的材料形成的屏蔽膜，上述屏蔽膜具有屏蔽部和开口部，此外，被上述屏蔽部包围了其周围的独立开口部和被上述开口部包围了其周围的独立屏蔽部中的至少某一方存在多个，分散配置在芯片的整个表面上。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||