| 发明名称 | 垂直沟道存储器及其制造方法与应用其的操作方法 | ||
| 摘要 | 一种垂直沟道存储器，包括一衬底、一沟道、一覆盖层、一电荷捕捉层、一第一端及一第二端。沟道凸出于衬底上，覆盖层设置于沟道上，覆盖层与沟道实质上具有相同宽度。电荷捕捉层设置于覆盖层及沟道的两垂直表面上。栅极设置于电荷捕捉层上，并位于沟道的两垂直表面上，第一端及第二端分别相对于栅极位于沟道的两侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN101162736A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200710153758.9 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 徐子轩;吕函庭;施彦豪;吴家伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种垂直沟道存储器，其特征在于，包括：一衬底；一沟道，凸出于该衬底上；一多层结构，设置于该沟道的两垂直表面上；一栅极，跨越于该多层结构上，并位于该沟道的两垂直表面上；以及一第一端及一第二端，分别相对于该栅极位于该沟道的两侧上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||