发明名称 | MOS开关电路 | ||
摘要 | 一种电子电路,具有通过开关电路连接的一个信号导体(11)和一个电源参考导体(10)。该开关电路包括实现于共同衬底(100)上的一个PMOS晶体管(17)和一个NMOS晶体管(10)。该PMOS晶体管(17)的源极和该电源参考导体(10)连接。该NMOS晶体管(18)的源极和PMOS晶体管(17)的漏极连接,其漏极和信号导体(11)连接。控制电路(13、14、15、16)在“开”和“关”状态间切换,其中控制电路(13、14、15、16)控制第一和第二MOS晶体管(17、18)的栅源电源,以分别使这些MOS晶体管(17、18)的沟道导通或者使这些第一和第二晶体管(17、18)的沟道不导通。优选情况下,还提供一个互补开关电路。该互补开关电路使用极性相反的电压差,一个和第二电源连接的NMOS晶体管(27)和一个和信号导体连接的PMOS晶体管(28)。该开关电路的开电阻通过匹配NMOS晶体管的栅源电压以及PMOS晶体管的栅源电压实现匹配。 | ||
申请公布号 | CN1906852A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
申请号 | CN200480040638.2 | 申请日期 | 2004.12.30 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 克莱门斯·G.·J.·德哈斯 |
分类号 | H03K17/687(2006.01) | 主分类号 | H03K17/687(2006.01) |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
主权项 | 1、一种电子电路,包括信号导体(11)、电源参考导体(10)和连接在该信号导体(11)和电源参考导体(10)之间的开关电路,该开关电路包括:和所述电源参考导体(10)连接的衬底结构(100,102);在所述衬底结构(100,102)上实现的第一MOS晶体管(17),其具有源极、漏极和栅极,其源极和所述电源参考导体(10)连接,该第一MOS晶体管(17)具有第一导电类型;在所述衬底结构(100,102)上实现的第二MOS晶体管(18),其具有源极、漏极和栅极,其源极和所述第一MOS晶体管(17)的漏极连接,其漏极和所述信号导体(11)连接,该第二MOS晶体管(18)具有和所述第一导电类型相反的第二导电类型;控制电路(13,14,15,16),其多个输出和第一MOS晶体管(17)的栅极以及第二MOS晶体管(18)的栅极和源极连接,该控制电路(13,14,15,16)用来在“开”状态和“关”状态间切换,其中该控制电路(13,14,15,16)控制所述第一和第二MOS晶体管(17,18)的栅源电压,以分别使这两个MOS晶体管(17,18)的沟道导通,以及使这两个第一和第二晶体管(17,18)的沟道不导通。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |