| 发明名称 |
氮化镓晶体及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种直径至少约2.75 mm，差排密度低于约10#sP!4#eP! ㎝#sP!-1#eP!，且实质上无倾斜边界的GaN单晶。本发明也揭示一种形成GaN单晶的方法，此方法包括提供成核中心、GaN来源材料、及GaN溶剂于槽室中，该槽室系经过加压，在该槽室中产生第一温度分布与第二温度分布，使该溶剂在该槽室的成核区域中过饱和，该第一温度分布与第二温度分布在该槽室内具有不同的温度梯度。 |
| 申请公布号 |
TW200833882 |
申请公布日期 |
2008.08.16 |
| 申请号 |
TW096138508 |
申请日期 |
2007.10.15 |
| 申请人 |
默曼堤效能材料股份有限公司 |
发明人 |
马克 狄艾佛林;朴东锡;史帝芬 鲁伯夫;拉瑞 罗兰德;克里斯汀 奈瑞格;洪慧聪;彼得 珊维克 |
| 分类号 |
C30B29/38(2006.01);H01L21/20(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
