| 发明名称 | 用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的低k值介电层，所述超低k值介电层的孔隙率大于所述低k值介电层；在所述低k值介电层形成的钝化层；在所述低k值介电层和所述钝化层中刻蚀形成的用于填充金属的沟槽。本发明还提供了用于互连工艺中的半导体器件制造方法。根据本发明的半导体器件既能保证低k值介电层带来的降低金属连线之间不利的相互作用或串扰，同时又可以实现介电层作为IMD层具有较高的强度，具有良好的VBD特性和均匀的薄层电阻特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102024790A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910196266.7 | 申请日期 | 2009.09.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙武;张海洋 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于互连工艺中的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的低k值介电层，所述超低k值介电层的孔隙率大于所述低k值介电层；在所述低k值介电层形成的钝化层；在所述低k值介电层和所述钝化层中刻蚀形成的用于填充金属的沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||