发明名称 P-TYPE OXIDE COMPOSITION FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT DISPLAY ELEMENT IMAGE DISPLAY DEVICE AND SYSTEM
摘要 본 발명에서는, 산화물을 포함하고 무정형인 p형 산화물로서, 산화물은 Cu, 및 p 블록 원소로부터 선택되고, 이온으로서 존재할 때 평형 상태로 존재할 수 있는 원소 M을 포함하고, 여기서 평형 상태는 최외각의 p 궤도의 모든 전자가 상실된 상태와 최외각의 모든 전자가 상실된 상태 둘 모두가 있는 상태인 것인 p형 산화물이 제공된다.
申请公布号 KR101670148(B1) 申请公布日期 2016.10.27
申请号 KR20147017429 申请日期 2012.11.28
申请人 가부시키가이샤 리코 发明人 아베 유키코;우에다 나오유키;나카무라 유키;다카다 미키코;마츠모토 신지;소네 유지;사오토메 료이치
分类号 H01L29/24;C01G30/00;G02F1/1365;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L29/861;H01L29/868;H01L51/50;H05B33/02 主分类号 H01L29/24
代理机构 代理人
主权项
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