发明名称 声波器件
摘要 一种声波器件,该声波器件包括:Y‑切割X‑传播钽酸锂基板,所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角;以及格栅电极,所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成,并且激发声波,其中,当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示,各个金属膜的泊松比由Pi表示,各个金属膜的膜厚度由hi表示,Cu的密度由ρ0表示,Cu的泊松比由P0表示,并且节距由λ表示时,对于所述一个或更多个金属膜,各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。
申请公布号 CN105811913A 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201610037045.5 申请日期 2016.01.20
申请人 太阳诱电株式会社 发明人 岩城匡郁;佐藤良夫;田中旅人;中泽秀太郎;松田隆志;堤润
分类号 H03H9/02(2006.01)I;H03H9/25(2006.01)I 主分类号 H03H9/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚
主权项 一种声波器件,该声波器件包括:Y‑切割X‑传播钽酸锂基板(10),所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板(10)具有20°或更大且48°或更小的切割角;以及格栅电极(12a、12b、13a),所述格栅电极(12a、12b、13a)由层叠在所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板上的一个或更多个金属膜组成,并且激发声波,其中,当所述一个或更多个金属膜(16、16a、16b)中的各个金属膜的密度由ρi表示,各个金属膜的泊松比由Pi表示,各个金属膜的膜厚度由hi表示,Cu的密度由ρ0表示,Cu的泊松比由P0表示,并且节距由λ表示时,对于所述一个或更多个金属膜,各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。
地址 日本东京都