发明名称 |
声波器件 |
摘要 |
一种声波器件,该声波器件包括:Y‑切割X‑传播钽酸锂基板,所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角;以及格栅电极,所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成,并且激发声波,其中,当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示,各个金属膜的泊松比由Pi表示,各个金属膜的膜厚度由hi表示,Cu的密度由ρ0表示,Cu的泊松比由P0表示,并且节距由λ表示时,对于所述一个或更多个金属膜,各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。 |
申请公布号 |
CN105811913A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201610037045.5 |
申请日期 |
2016.01.20 |
申请人 |
太阳诱电株式会社 |
发明人 |
岩城匡郁;佐藤良夫;田中旅人;中泽秀太郎;松田隆志;堤润 |
分类号 |
H03H9/02(2006.01)I;H03H9/25(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚 |
主权项 |
一种声波器件,该声波器件包括:Y‑切割X‑传播钽酸锂基板(10),所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板(10)具有20°或更大且48°或更小的切割角;以及格栅电极(12a、12b、13a),所述格栅电极(12a、12b、13a)由层叠在所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板上的一个或更多个金属膜组成,并且激发声波,其中,当所述一个或更多个金属膜(16、16a、16b)中的各个金属膜的密度由ρi表示,各个金属膜的泊松比由Pi表示,各个金属膜的膜厚度由hi表示,Cu的密度由ρ0表示,Cu的泊松比由P0表示,并且节距由λ表示时,对于所述一个或更多个金属膜,各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。 |
地址 |
日本东京都 |