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经营范围
发明名称
内埋电容元件结构及其制造方法与应用
摘要
提供一种内埋电容元件结构及其制造方法与应用,此内埋电容元件结构包括:介电层、第一导电层、第二导电层、第一嵌板以及第二嵌板。其中介电层具有一厚度。第一导电层系位于介电层之一侧,且具有第一电性。第二导电层位于介电层上相对于第一导电层之另一侧,且具有第二电性。第一嵌板嵌设于介电层之中,与第一导电层电性连结。第二嵌板嵌设于介电层之中,与第二导电层电性连结,且与第一嵌板相距有一段距离。
申请公布号
TWI321970
申请公布日期
2010.03.11
申请号
TW096103594
申请日期
2007.01.31
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
王永辉;欧英德;洪志斌
分类号
H05K1/16
主分类号
H05K1/16
代理机构
代理人
蔡坤财;李世章
主权项
一种内埋电容元件结构,包括:一介电层,其中该介电层具有相对之一第一侧与一第二侧,且该第一侧与该第二侧之间相距一厚度;一第一导电层,位于该第一侧,其中该第一导电层具有一第一电性;一第二导电层,位于该第二侧,其中该第二导电层具有一第二电性;一第一嵌板,嵌设于该介电层之中,与该第一导电层电性连结;以及一第二嵌板,嵌设于该介电层之中,与该第二导电层电性连结,且与该第一嵌板相距有一距离,其中该第一嵌板和该第二嵌板嵌设于该介电层之长度,系实质大于该厚度的一半。
地址
高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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