发明名称 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF GERMANIUM OR GERMANIUM OXIDE
摘要 A process of depositing germanium on a substrate includes sequentially exposing in at least one deposition cycle the substrate inside a chamber with a Ge-containing precursor and a reducing or oxidizing precursor.
申请公布号 SG11201605374U(A) 申请公布日期 2016.09.29
申请号 SG11201605374U 申请日期 2014.03.04
申请人 PICOSUN OY 发明人 LI, WEI-MIN
分类号 C23C16/455;C23C16/22;C23C16/40;H01L21/02;H01L21/314 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人
主权项
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