| 发明名称 | 在充作基板之基础芯片上具至少一半导体芯片之半导体组件及制造该组件之方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种在充作基板之基础芯片上具至少一半导体芯片之半导体组件，其中该至少一半导体芯片及该基础芯片具金属接触区域。该半导体芯片及该基础芯片关于彼此以一种方式对准，此方式为该至少一半导体芯片及该基础芯片的交互经指定接触区域彼此面对且该交互面对区域以电传导方式彼此连接。在此情况下，在该至少一半导体芯片的个别接触区域及与之连接的该基础芯片的接触区域间的距离少于10微米。该基础芯片包含由第一技术制造的组件，且该至少一半导体芯片包含由第二技术制造的组件。 | ||
| 申请公布号 | CN1539163A | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN02810396.3 | 申请日期 | 2002.05.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·休纳 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L25/065;H01L21/98 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
| 主权项 | 1.在充作基板之基础芯片(10)上具至少一半导体芯片(20)之半导体组件，其中 -该至少一半导体芯片(20)及该基础芯片(10)具金属接触区域(11、21)， -该至少一半导体芯片系关于该基础芯片以一种方式对准，此方式为该至少一半导体芯片及该基础芯片的交互经指定接触区域彼此面对且该交互面对区域以电传导方式彼此连接， -在该至少一半导体芯片(20)的个别接触区域及与之连接的该基础芯片(10)的接触区域(11)间的距离少于10微米， -该基础芯片包括含由第一技术所制造的组件，且 -该至少一半导体芯片包括由第二技术所制造的组件。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||