发明名称 MEASUREMENT METHOD IMAGE PROCESSING DEVICE AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
摘要 휘도 변동에 의한 윤곽점의 오차는 일정량의 오프셋 가산 등의 단순한 방법에 의해 보정할 수는 없다. 그러나, 레지스트 패턴으로 대표되는 바와 같이 미세화가 진행된 최근에는, 기준이 되는 영역을 적절하게 정하는 것이 곤란해졌다. 하전 입자선 장치에 의해 취득된 레지스트 패턴의 화상으로부터, 휘도 변동의 영향을 고려해서 레지스트 패턴의 윤곽을 추출한다. 즉, 윤곽을 구성하는 에지 점의 근방의 휘도 프로파일을 복수 취득하고, 복수의 상기 휘도 프로파일에 의거하여, 특정 에지의 근방에 있어서의 휘도 프로파일의 형상의 평가값을 구하고, 이 평가값에 의거하여, 특정 에지점의 윤곽을 보정한다.
申请公布号 KR101632011(B1) 申请公布日期 2016.06.21
申请号 KR20147030585 申请日期 2013.05.27
申请人 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 发明人 오하시 다케요시;다나카 준이치;호조 유타카;신도 히로유키;가와다 히로키
分类号 G01B15/04;H01J37/26;H01L21/66 主分类号 G01B15/04
代理机构 代理人
主权项
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