| 发明名称 | 浮区硅晶片制造系统 | ||
| 摘要 | 制造硅晶片的方法，其包括下列步骤：安装用于剥落的浮区硅工件，为微波装置供能来产生足以穿透所述浮区硅工件外表面层的能量束，用所述能量束剥落所述浮区硅工件的所述外表面层，和从所述浮区硅工件除去所述剥落的外表面层作为厚度小于100微米的硅晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN106133210A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201580015272.1 | 申请日期 | 2015.02.18 |
| 申请人 | 雷顿太阳能股份有限公司 | 发明人 | A·X·雅库博;J·B·罗森茨威格;M·S·格尔斯基 |
| 分类号 | C30B33/04(2006.01)I;C30B31/22(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙爱 |
| 主权项 | 制造硅晶片的方法，其包含步骤：安装用于剥落的浮区硅工件；为微波装置供能来产生足以穿透所述浮区硅工件外表面层的能量束；用所述能量束剥落所述浮区硅工件的所述外表面层；和从所述浮区硅工件除去所述剥落的外表面层，作为厚度小于100微米的硅晶片。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||