发明名称 CURRENT DETECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS
摘要 본 발명의 과제는 미세한 비트선 구조를 흐르는 전류를 고속으로 검출할 수 있는 전류 검출회로를 제공하는데 있다. 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 페이지 버퍼/센스 회로(170)는, 프리차지 기간 동안, 노드(SNS)를 프리차지하고, 방전 기간 동안, 설정된 타겟의 정전류를 노드(SNS)에 공급하는 트랜지스터(TP3)와, 노드(SNS)에 프리차지된 전압에 의거해서 비트선을 프리차지하는 트랜지스터(TN3)와, 노드(SNS)에 접속된 트랜지스터(TP2)를 포함한다. 트랜지스터(TP2)는, 방전 기간 동안, 트랜지스터(TP3)가 공급하는 정전류보다도 큰 전류가 비트선으로부터 방전된 것인지의 여부를 검출하고, 검출 결과를 노드(SENSE)에 출력한다.
申请公布号 KR101632428(B1) 申请公布日期 2016.06.21
申请号 KR20140116322 申请日期 2014.09.02
申请人 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 发明人 아라카와, 켄이치
分类号 G01R19/00;G11C16/02 主分类号 G01R19/00
代理机构 代理人
主权项
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