| 摘要 |
탄소질 물질 건조 분말 가스화 장치 및 방법에 관한 것으로서, 상기 장치는 하부로부터 상부까지 하부 냉각 정화부 (1), 가스화 반응부 (2), 냉각 반응부 (3), 및 상부 냉각 정화부 (4)를 포함하고; 일차 냉각 장치는 냉각 반응부와 가스화 반응부 사이의 연결부에 설치되고; 복수의 노즐들은 가스화 반응부의 주변 둘레로 배열된다. 상기 방법은: 가스화 반응을 탄소질 물질과 옥시 가스화제 사이에 수행하여 조 합성 가스 및 애쉬를 생성하고; 조 합성 가스의 일부 및 애쉬의 대부분이 냉각 및 가스화를 위해 하향 유동하고, 냉각되고 애쉬가-제거된 조 합성 가스가 후속 공정으로 전달되고, 급냉된 애쉬는 애쉬 출구를 통해 배출되며; 조 합성 가스의 나머지 부분 및 비산 애쉬가 상승하여 냉각을 위해 냉각 물질과 함께 혼합되고, 이후에 냉각 반응부 내로 전달되어, 완전히 반응되지 않은 탄소가 보충된 가스화제와 반응하며; 조 합성 가스 및 비산 애쉬가 냉각되고 정화되며 비산 애쉬는 제거되어, 청정한 저온 조 합성 가스가 후속 공정으로 보내지는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상부 배기 (air-exhaust) 방법에서 애쉬 출구에서의 애쉬 블록을 회피하고, 또한 하부 배기 방법에서 상부에서의 과열을 회피하여, 따라서 탄소 전환율을 향상시킨다. |
