发明名称 半导体用粘合剂组合物、含其的粘合剂膜和使用其的半导体封装
摘要 提供了一种高流动性的半导体用粘合剂组合物,其中该组合物:包含具有特定结构的助焊活性固化剂;允许满足隆起‑芯片电连接的可靠性需要并去除在焊料和Cu隆起上作为隆起‑芯片接触层的任何氧化膜的助焊过程;在通过热压缩焊接的芯片焊接过程中确保焊料和隆起之间充分的相互接触。还提供了一种含该组合物的粘合剂膜和使用该组合物的半导体封装。
申请公布号 CN103261348B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201180060456.1 申请日期 2011.03.25
申请人 第一毛织株式会社 发明人 片雅滥;鱼东善;宋基态;赵宰贤;金仁焕
分类号 C09J11/06(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I 主分类号 C09J11/06(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 一种半导体装置用粘合剂组合物,包含至少一种由以下化学式1至3表示的助焊活性固化剂:[化学式1]<img file="FDA0000967776890000011.GIF" wi="558" he="442" />其中,A表示含有酸酐部分并包含0至3个双键的C4至C8环结构;B表示具有C4至C8环结构的脂环部分、不饱和脂环部分或芳香部分;R<sup>1</sup>选自由氢原子、C1至C6烷基、C6至C12芳基、C6至C12取代的芳基、乙烯基和烯丙基组成的组;且n为0至2的整数,[化学式2]<img file="FDA0000967776890000012.GIF" wi="576" he="361" />其中,C表示含有酸酐部分并包含0至3个双键的C4至C8环结构;D表示具有C4至C8环结构的脂环部分、不饱和脂环部分或芳香部分;R<sup>2</sup>选自由氢原子、C1至C6烷基、C6至C12芳基、C6至C12取代的芳基、乙烯基和烯丙基组成的组;且n为1至4的整数,[化学式3]<img file="FDA0000967776890000013.GIF" wi="631" he="382" />其中,E表示含有酸酐部分并包含0至3个双键的C4至C8环结构;F表示具有C4至C8环结构的脂环部分、不饱和脂环部分或芳香部分;R<sup>3</sup>选自由氢原子、C1至C6烷基、C6至C12芳基、C6至C12取代的芳基、乙烯基和烯丙基组成的组;R<sup>4</sup>选自由以下化学式(i)至(viii)表示的化合物;且n为1至4的整数,<img file="FDA0000967776890000021.GIF" wi="1188" he="720" />其中,所述助焊活性固化剂不含羧酸,其中,所述组合物在260℃具有2×10<sup>4</sup>泊至15×10<sup>4</sup>泊的熔体粘度,并且其中,所述组合物基于固含量包含20wt%至60wt%的聚合物树脂、10wt%至60wt%的环氧树脂、0.1wt%至10wt%的所述助焊活性固化剂、0.01wt%至5wt%的固化催化剂和15wt%至40wt%的填料。
地址 韩国庆尚北道