积层陶瓷电容器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种积层陶瓷电容器，在其自身温度上升后，也可以防止陶瓷芯片上产生裂缝。此积层陶瓷电容器在内部电极层13的宽度方向两侧设置非平坦部分13b，而且，非平坦部分13b包含已实质性氧化的部位，因此通过使非平坦部分13b的热膨胀率降低，而可以降低与陶瓷部14的热膨胀率之差所产生的应力，且此应力可以随着非平坦部分13b的弯曲与倾斜而分散。即，通过使自身温度上升后产生的应力降低并分散，可以防止由于此应力而在陶瓷芯片11的侧边缘部分等产生裂缝。

主权项

1.一种积层陶瓷电容器，其特征在于：具备长方体形状的陶瓷芯片，此陶瓷芯片具有将多个内部电极层经由陶瓷部而积层的结构，且多个内部电极层中至少一部分内部电极层具有宽度方向中央的平坦部分与宽度方向两侧的非平坦部分，并且宽度方向两侧的非平坦部分包含已实质性酸化物化的部位。