| 摘要 |
Ein Halbleitervorrichtungsfertigungsverfahren der vorliegenden Erfindung weist einen Beschichtungsschritt des Beschichtens einer vorderen Oberfläche eines Wafers mit einem Material, das ein Lösungsmittel aufweist, einen Verdampfungsschritt des Verdampfens des Lösungsmittels durch Erhitzen des Materials und einen Spülschritt des Spülens einer Ätzspüllösung zum Entfernen des Materials aus einer ersten Düse auf einen Umfangsbereich der vorderen Oberfläche des Wafers, während der Wafer rotiert wird, auf. |
