Züchtungsverfahren für einen III-V Nitrid-Verbindungshalbleiter und Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement,申请号DE1999636564-传众专利搜索

发明名称	Züchtungsverfahren für einen III-V Nitrid-Verbindungshalbleiter und Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号	DE69936564(D1)	申请公布日期	2007.08.30
申请号	DE1999636564	申请日期	1999.11.23
申请人	SONY CORP.	发明人	HINO, TOMONORI;ASANO, TAKEHARU;ASATSUMA, TSUNENORI;KIJIMA, SATORU;FUNATO, KENJI;TOMIYA, SHIGETAKA
分类号	H01L21/20;H01L21/033;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/34;H01L33/40;H01S5/00;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/30;H01S5/323;H01S5/343	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
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