基于纳米线技术的新型片上集成光耦

摘要

本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分，其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED和光敏二极管。发光部分的纳米线结构LED在外加电压下可以发光，光敏部分的纳米线结构光敏二极管可以探测到发光部分LED发光的有无，并转化为电流信号，光波导部分对发光部分LED发出的光具有较高透过率。该新型光耦可以通过微纳工艺制备，尺寸不大于100μm，使其具有可集成到片上系统的特点。

主权项

一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，其特征在于：由一个或多个纳米线结构的LED光耦组成的发光部分和一个或多个纳米线结构的光敏二极管组成的光敏部分以及光波导部分组成；其最大尺寸不大于100μm。