| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：由化合物半导体形成的电子渡越层；以及形成为覆盖电子渡越层的电极，其中在电子渡越层和电极之间插入有绝缘膜，其中电子渡越层的在电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且在第一极性面中的极化电荷与在第二极性面中的极化电荷具有相反的极性。 | ||
| 申请公布号 | CN103681834B | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201310356243.4 | 申请日期 | 2013.08.15 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 朱雷;冈本直哉 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H02M5/458(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：由化合物半导体形成的电子渡越层；以及形成为覆盖所述电子渡越层的栅电极，其中在所述电子渡越层和所述栅电极之间插入有绝缘膜，其中所述电子渡越层的在所述栅电极正下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且在所述第一极性面中的极化电荷具有与在所述第二极性面中的极化电荷相反的极性。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||