| 发明名称 | 一种双层熔丝及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双层熔丝制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层，包括有与第一区域及与所述第一区域不重叠的第二区域；在所述第一区域上形成第一导电金属层；形成第一区块，第二区块及第三区块，其中，所述第二区块形成于所述第一导电金属层上表面，所述第一区块及所述第三区块所覆盖的区域，一部分属于所述第一区域，另一部分属于所述第二区域，所述第一区块和所述第二区块间为第一熔丝窗口，所述第二区块和所述第三区块之间为第二熔丝窗口，所述第二区块上包括第二导电金属层；在所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层，在所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层。 | ||
| 申请公布号 | CN103633066B | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201210297342.5 | 申请日期 | 2012.08.20 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 贺冠中 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种双层熔丝制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层，包括有与第一区域及与所述第一区域不重叠的第二区域；在所述第一区域上形成第一导电金属层；形成第一区块，第二区块及第三区块，其中，所述第二区块形成于所述第一导电金属层上表面，所述第一区块及所述第三区块所覆盖的区域，一部分属于所述第一区域，另一部分属于所述第二区域，所述第一区块和所述第二区块间为第一熔丝窗口，所述第二区块和所述第三区块之间为第二熔丝窗口，所述第二区块上包括第二导电金属层；在所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层，在所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层；其中，所述第一隔离层与所述第二隔离层覆盖第二金属层两侧露出的第一导电金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||