发明名称 |
原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开一种原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积,形成N‑X‑N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积,后包含III主族元素施主掺杂源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主‑受主的共掺,以增加受主元素的掺入量,促进氧化锌薄膜的p型转变。 |
申请公布号 |
CN103866276B |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201210532025.7 |
申请日期 |
2012.12.11 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
卢维尔;夏洋;李超波;解婧;李楠 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括:将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积,形成N‑X‑N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积,后氮掺杂源沉积;所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积,后包含III主族元素施主掺杂源沉积;,所述基片为经浓硫酸和双氧水处理,并经超纯水超声过的硅片、蓝宝石或玻璃,衬底表面带有羟基;所述复合沉积包括:在真空环境下依次用第一次锌源、氧源、氮掺杂源、第二次锌源、包含III主族元素X的施主掺杂源、氧源和氮掺杂源进行沉积得到受主‑施主‑受主共掺的ZnO薄膜,所述第一次锌源、氮掺杂源、氧源、包含III主族元素X的施主掺杂源及第二次锌源在沉积室内暴露时间依次为0.15s、10s、0.07s、0.08s、0.08s。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |